Форм-фактор: M.2 2280; Ёмкость: 4 ТБ; Тип ячеек памяти: 3D NAND TLC; Интерфейс передачи данных: NVMe PCIe; Версия PCIe: Gen4 x4; Скорость чтения (ATTO), до: 7000 МБ/с; Скорость записи (ATTO), до: 7000 МБ/с; Устойчивость к вибрации, до: 2.17 G; Ресурс записи: 3200 TBW; Время наработки на отказ (МТBF): 1.8 млн. часов
